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电子元器件详细资料 » IC[19775] » EMD30T2R
型号:EMD30T2R类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:Rohm Semiconductor
封装:SOT-563,SOT-666描述:TRANS NPN/PNP 30V 200MA EMT6

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS NPN/PNP 30V 200MA EMT6
系列-
制造商Rohm Semiconductor
晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA,200mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V,30V
电阻器_基极(R1)111欧22210k,1k
电阻器_发射极(R2)111欧22210k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)30 @ 5mA,5V / 140 @ 100mA,2V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222300mV @ 500µA,10mA / 300mV @ 2.5mA,50mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换250MHz,260MHz
功率_最大150mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装EMT6
包装带卷 (TR)

供应商

深圳思诺康科技有限公司李先生0755-83286481李先生/0755-83272821朱小姐
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
深圳市世品佳电子有限公司销售部0755-/83218466/83200833
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EMD30T2R相关型号

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